镀膜
①沉积钛底层
真空度：通入高纯氩气，真空度保持在5 x 10-2pa。电弧电流：50～70a，引燃全部弧源，时间为2～3min。偏压：400～500v。
②沉积tin膜
真空度：通入高纯氮气，真空度保持在s x lo-1pa。偏压：100～200vo电弧电流：60～80a。沉积时间：10～20min，膜层厚度0.1～0.5μm。
③掺金镀
真空度：通入高纯氮气，真空度保持在5 x 10-2pa。偏压：100～150v。电弧电流：60a(真空镀膜室上、中、下各点燃1个源)。磁控溅射金靶电压：400—500v，电流3～5a;时间：1min。
④镀金
真空度：通入氩气，真空度保持在3 x 10-1pa。偏压：100～150v。溅射靶电压：400～550v。时间：5-10min。
⑤沉积si02
真空度：通入高纯氩气，真空度8 x 10-2pa或5x 10-1pa。中频（射频）电源功率：200～500w。时间：10～20min。
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